成膜装置

Film deposition device

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a technique capable of using a purge gas including hydrogen or hydrogen chloride and suppressing SiC heater degradation in a film deposition device provided with an SiC heater.SOLUTION: A film deposition device 10 for growing a silicon film on the surface of a wafer 70 comprises: wafer stages 14 and 16 which can be installed in the wafer 70; an SiC heater 42 which is disposed in the wafer stage and heats the wafer 70; material gas supply means 60, 62, and 64 for supplying the material gas of the silicon film to the film-formed surface of the wafer 70; purge gas flow channels 32, 30, and 36 which are formed in the wafer stage and supply the purge gas including hydrogen or hydrogen chloride to at least a part of the rear surface and the outer peripheral surface of the wafer; and inert gas flow channels 44 and 48 which are formed in the wafer stage and supply an inert gas to the SiC heater 42.
【課題】水素又は塩化水素を含むパージガス用いるとともに、SiCヒータを備える成膜装置において、SiCヒータの劣化を抑制することができる技術を提供することを目的とする。 【解決手段】ウエハ70の表面にシリコン膜を成長させる成膜装置10であって、ウエハ70を設置可能なウエハステージ14、16と、ウエハステージ内に配置されており、ウエハ70を加熱するSiCヒータ42と、ウエハ70の被成膜面に、シリコン膜の原料ガスを供給する原料ガス供給手段60、62、64と、ウエハステージ内に形成されており、ウエハの裏面と外周面の少なくとも一部に、水素または塩化水素を含むパージガスを供給するパージガス流路32、30、36と、ウエハステージ内に形成されており、SiCヒータ42に、SiCヒータ42に対して不活性なガスを供給する不活性ガス流路44、48を有している。 【選択図】図1

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    JP-2014209534-ANovember 06, 2014株式会社東芝, Toshiba Corp半導体製造装置、半導体製造方法、および半導体ウェーハホルダ